Veřejná podpora

Nové radiačně odolné mikroelektronické technologie
Poskytovatel dotace: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR
Program: Národní plán obnovy
Název výzvy: Podpora IPCEI v oblasti Mikroelektronika a komunikační technologie
Řešitelé: UJP PRAHA a.s., evolving systems consulting s.r.o., ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., ČVUT FJFI
Evidenční číslo: 2320000002
Realizace: 01/2024 – 04/2026

Anotace projektu: Hlavním cílem projektu je výzkum a vývoj radiačně odolné mikroelektroniky pro lékařské, průmyslové, kosmické a environmentální aplikace.
Rozpočet projektu: 349 396 749,- CZK
Cíle projektu (pracovní balíčky):
WP1 – Laboratorní komplex pro testování radiační odolnosti ME součástek
WP2 – Radiačně odolné senzory
WP3 – Radiačně odolné ME prvky
WP4 – Radiačně odolná ME pro kosmické aplikace

Zvýšení efektivity výroby čipů
Snížení energetické náročnosti výroby chladu pro technologii výroby tažení křemíku
Výroba nové generace křemíkových desek SOI
Zavedení výroby nového typu polovodičové součástky Ultra Field Stop TIGBT/SOI pro elektromobily včetně inovované technologie výroby (02/2021 – 05/2023)
Předmětem projektu je zavedení výroby nového typu polovodičové součástky Ultra Field Stop TIGBT/SOI pro elektromobily včetně inovované technologie výroby. Projekt je zaměřen na výrobu 8“ desek s čipy pro elektromobily a případné další aplikace.
Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace (operační program Podnikání a inovace pro konkurenceschopnost) – (01-21 – 05-23)
Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky.
Zavedení výroby nového typu polovodičové vysokonapěťové diody na substrátu karbidu křemíku a integrace nových technologických procesů
Předmětem projektu je zavedení výroby inovovaného produktu v podobě nového typu polovodičové součástky – vysokonapěťové diody Gen2 na substrátu karbidu křemíku (SiC) o rozměrech 6″ (150 mm). Inovace produktu je doprovázena zavedením unikátního výrobního procesu a technologií umožňující zpracování 6″desek z karbidu křemíku (SiC). To představuje technologický posun na zcela novou úroveň.
Výzkum a vývoj polovodičových tranzistorů řízených polem na bázi karbidu křemíku
Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky. Pro dosažení světové úrovně výstupů je nezbytný také výzkum a vývoj vhodných metod charakterizace SiC krystalů a desek s uplatněním ve výzkumně-vývojové organizaci i v průmyslové výrobě polovodičových substrátů.

TE01020233 – Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie (2012-2019)
TH01011284 – Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (2015-2017)
TH01010419 – Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) (2015-17)
TH02010014 – Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace (2017-20)
TH03020005 – Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu (2018-20)
TH03010006 – Výzkum a vývoj vysokonapěťových si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů (2018-20)
FW01010089 – Výzkum a vývoj digitálních technologií pro pokročilé polovodičové procesy (2020-22)

Projekty spolufinancované EU z Národního plánu obnovy

Projekty spolufinancované EU z Evropského fondu pro regionální rozvoj

Projekty spolufinancované Technologickou agenturou České republiky